最先端技術

5G通信対応・高多層・ビルドアップ基板や
高周波・高密度・高放熱・大電流基板など、
最先端の技術で対応します。

TECHNOLOGY

新しい市場ニーズに応える
技術開発

キョウデンは、新しい技術領域・新しい市場のニーズに対応すべく、
材料・部品メーカ様とも共同開発を進めながら、先々を見据えた技術開発を行っています。

業界初!!パワー半導体、高放熱高周波部品の放熱対策に貢献

※当社調べ

高速厚銅めっき工法による
高放熱高周波基板開発

本製品は、放熱部品の直下が高速厚銅めっきで充填されており、
熱伝導の高い銅でダイレクトに基板下部に接続され放熱される構造となっております。
従来は銅インレイ、銅コイン(図1)を基板に埋め込んで放熱しておりましたが、
量産性、基板信頼性面、薄板対応で課題がありました。
弊社は新たに高速厚銅めっき技術を開発し、高放熱高周波基板を開発致しました(図2)。

図1: 銅インレイ基板

図1: 一般的な銅インレイ基板イメージ

図2: 当社新規開発品

図2: 当社新規開発品

本製品の場合、厚銅めっきを用いるため形状、大きさが自由に設定でき、
アルミ基板、銅ベース基板では困難であったビルドアップ層構成も対応可能(図3)
かつ銅インレイで対応困難な0.4ミリ以下の薄板部品基板にも対応でき、高放熱部品の放熱対策に寄与し、
5G/6G基地局用パワーアンプ、パワー半導体部品の高周波対応と高放熱対策へ対応可能となります。

当社開発実績

図3: 開発イメージ図

図3: 開発イメージ図

図4: 開発製品 基板断面図

図4: 開発製品 基板断面図

基板の信頼性検証においても
当社基準をクリアしております。

  • ・ホットオイル試験:260℃/10秒→20℃/20秒 100サイクル
  • ・冷熱衝撃試験:-40℃(30分)⇔125℃(30分) 500サイクル
  • ・はんだ耐熱試験:260℃のはんだ浴に10秒間フロート 5サイクル

また各種基板構造に対しての放熱特性シミュレーションならびに
実機検証においても厚銅めっき構造の優位性が検証された結果となっております(図3/図4)。

検討モデル

シミュレーション条件

※Chip発熱量 : 10W(条件1のみ5W設定) ※基板(下面): 常時25℃冷却、基板(上面): 自然放冷

図3:各種基板構造のモデル(条件4が厚銅めっき基板)

図5:各種基板構造のモデル(条件4が厚銅めっき基板)

放熱効果(過渡解析)

シミュレーションの結果より
chip直下のPCBへの
厚銅めっきVIAの適用による
放熱効果(放熱速度への効果)を確認。

図4:シミュレーションの結果

図6:シミュレーションの結果

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